當地時間10月29日，美股存儲板塊繼續狂飆，截至發稿，希捷科技大漲17.2%，西部數據漲超12%，SanDisk漲超10%，美光科技漲近3%。
值得注意的是，近兩個月美股存儲板塊漲幅驚人。希捷科技累漲54.41%，西部數據累漲72.37%，美光科技累漲89.13%，SanDisk累漲283%。
消息面上，存儲產品價格近期呈現出驚人的上漲態勢。據中國藍新聞，在浙江杭州，內存條近一個月價格翻了一番。有商戶表示，原來200多元的內存條現在漲到400多元，原來1000多元的則漲到近2000元。
社交媒體上不少網友紛紛曬出自己所囤的內存條，慶幸提前組裝了電腦，“真沒想到內存條如今成了‘電子茅臺’，漲得比黃金還快。”
內存價格暴漲
據界面新聞，TrendForce集邦咨詢數據顯示，2025年第三季度，DRAM價格較去年同期大幅上漲171.8%。若以今日國際現貨黃金每盎司價格3998美元計算，較去年低位時的1890美元也只漲了115%。
從現貨市場數據來看，在10月13日至18日期間，DRAM方面，DDR5 16G、DDR4 16G均價相較上周分別上漲20.59%、11.11%，相較上月漲幅更是高達58.73%、43%。
DDR全稱為Double Data Rate（雙倍數據速率），是內存條（即動態隨機存取存儲器，DRAM）的核心技術標準，也是衡量內存性能的關鍵指標之一。
存儲芯片具體可分為兩類：一是數據持久化存儲（如NAND閃存，斷電后數據不丟失），二是實時數據暫存（如DRAM，需持續供電，讀寫速度快）；其中，基于DRAM技術的高端品類HBM（高帶寬內存），可滿足AI計算、服務器等場景中“海量數據(15.490, -0.12, -0.77%)實時流轉”的需求。
AI驅動的產能轉移引發產品供應結構性失衡，是此輪漲價的核心邏輯。
自2022年11月ChatGPT誕生引發生成式人工智能熱潮并推動全球競相建設人工智能數據中心以來，存儲芯片制造商就一直在將更多產能轉向HBM芯片的生產。
Yole Group預計，2025年，主要用于GPU生產的HBM產品的營收預計將接近翻倍，達到約340億美元；HBM市場將在2030年前保持33%的年復合增長率，屆時其營收將超過DRAM市場總營收的50%。
值得一提的是，HBM所消耗的晶圓容量是標準DRAM的三倍多，像OpenAI等企業提出的每月90萬片晶圓訂單，相當于消耗了當前全球DRAM月產能的53%。
此外，長鑫存儲等中國公司在低端DRAM芯片上日益激烈的競爭，也促使控制全球DRAM芯片市場約70%份額的韓國三星和SK海力士加速向高端芯片轉型。這些廠商自2025年初起便陸續調整戰略，逐步減少乃至計劃在2025年底至2026年初完全停止DDR4內存顆粒的生產，將產能全面轉向利潤更高、技術更先進的DDR5、HBM等產品。這直接擠壓了DDR4的產能空間，使得DDR4產量減少，市場上供不應求。
為應對漲價，早在年初就有不少經銷商開始大量囤貨鎖價。在華強北等電子集散地，自二季度開始出現經銷商大規模掃貨現象，導致民用市場的現貨流通量減少，進一步加劇了價格上漲。
TrendForce集邦咨詢7月發布的報告顯示，由于三大廠轉移產能，并宣布個人電腦、服務器用DDR4及手機用LPDDR4X進入產品生命周期末期，引發了市場對上一代產品積極備貨，再加上正值存儲行業旺季，現貨市場供不應求。2025年第三季度DRAM合約價上漲10%至15%，第三季漲價幅度達到40%至45%。
存儲芯片廠商賺翻了
據財聯社，根據韓國KB證券研究主管Jeff Kim預計，若當前漲勢持續，明年非HBM內存芯片的盈利能力甚至可能將超越HBM。
據其估算，三星7—9月期間標準DRAM業務運營利潤率約為40%，HBM業務則達60%。美光科技上月預測，2026年HBM與非HBM業務均將保持健康的利潤率。
另一方面，存儲芯片價格飆升可能給消費電子和服務器制造商帶來額外成本壓力。這些企業本就因美國提高關稅和稀土短缺引發的潛在供應鏈中斷而成本攀升。
部分企業正將成本壓力轉嫁給消費者。例如英國個人電腦制造商Raspberry Pi本月早些時候就宣布漲價，稱內存成本較一年前上漲約120%。其首席執行官埃Eben Upton表示：“我們已到了必須分攤部分成本的階段。”
此前小米發布紅米K90手機時，創始人雷軍便將不同版本間價差過大歸因于存儲成本上漲。而小米集團合伙人、總裁盧偉冰則稱，“我們無法改變全球供應鏈的走勢，存儲成本上漲也遠高于預期，且會持續加劇。”
全球第二大存儲模組廠威剛董事長陳立白稍早表示，當前DRAM、NAND閃存、SSD和機械硬盤四大存儲類別全面缺貨漲價的局面，在其三十余年的行業生涯中前所未見。
他認為第四季度才是存儲大多頭的真正起點和嚴重缺貨的開始，也是存儲嚴重缺貨的開始，并預言明年產業榮景可期。
